| Marca | Infineon |
| Prodotto | FF225R12ME4 |
| Descrizione | Moduli in silicio IGBT |
| Codice interno | PRT1344518 |
| Peso | 0.35 |
| Codice doganale | 85359000 |
| Specifiche tecniche | INFINEON TECHNOLOGIES AG MODULO IGBT 1200V 225A Prodotto: Moduli in silicio IGBT Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 1200 V Tensione di saturazione del collettore-emettitore: 2,15 V Corrente continua del collettore a 25 C: 225 A Corrente di dispersione dell'emettitore Gate: 400 nA Pd - Dissipazione di potenza: 1050 W Temperatura operativa minima: - 40 C Temperatura massima di esercizio: + 150 C Confezione: vassoio Marca: Infineon Technologies Tensione massima dell'emettitore Gate: 20 V Stile di montaggio: montaggio su telaio Tipo di prodotto: Moduli IGBT Serie: Trench/Fieldstop IGBT4 - E4 |
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